„Feldeffekttransistor“ – Versionsunterschied – Wikipedia

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== Geschichte ==

=== Laborversuche ===

Die erste konkrete Beschreibung eines unbeheizten Bauelements mit Eigenschaften ähnlich einer [[Elektronenröhre]] geht auf [[Julius Lilienfeld]] im Jahr 1925 zurück.<ref>{{Patent|Land=US|V-Nr=1745175|Erfinder=J. E. Lilienfeld|Titel=Method and Apparatus For Controlling Electric Currents|A-Datum=1925-10-22}}</ref> Damals fehlten aber die Technologien, diese Vorschläge zu realisieren.<ref>Reinhold Paul, ''Feldeffekttransistoren – physikalische Grundlagen und Eigenschaften.'' Verlag Berliner Union [u.&nbsp;a.], Stuttgart 1972, ISBN 3-408-53050-5.</ref> In der Folgezeit erhielt Lilienfeld 1928 ein Patent auf eine Konstruktion, die dem heutigen [[IGFET]] nahekam, und es gab ähnliche Versuche von [[Joseph Weber (Physiker)|Joseph Weber]] 1930.

Im Jahr 1934 meldete der deutsche Physiker [[Oskar Heil]] den ersten Feldeffekttransistor zum Patent an.<ref>{{Patent|Land=GB|V-Nr=439457|Erfinder=Oskar Heil|Titel=Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices|Kommentar=angemeldet in Deutschland am {{FormatDate|1934-03-02}}}}</ref> Weitere Versuche gab es von Holst und Geal 1936 und von [[Rudolf Hilsch]] und [[Robert Wichard Pohl]] 1938, Realisierungen sind aber nicht bekannt.